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Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
IXFB52N90P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
900V
52A
160 m Ω
300 ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
PLUS264 TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
900
900
V
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
I DM
I A
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
52
104
26
2
20
1250
A
A
A
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
-55 ... +150
150
° C
° C
Features
Fast Intrinsic Diode
T stg
T L
T SOLD
F C
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Force
-55 ... +150
300
260
30..120/6.7..27
10
° C
° C
° C
N/lb.
g
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Advantages
Plus 264 TM Package for Clip or Spring
Mounting
Space Savings
High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
Switched-Mode and Resonant-Mode
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
900
V
Power Supplies
DC-DC Converters
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3.5
6.5
V
Laser Drivers
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 200 nA
AC and DC Motor drives
Robotics and Servo Controls
I DSS
V DS = V DSS, V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
4 mA
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25, Note 1
160 m Ω
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100064A(02/09)
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